Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
Producent NEXPERIA
Typ tranzystora N-MOSFET
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 200V
Prąd drenu 0,2A
Moc rozpraszana 580mW
Obudowa SC62, SOT89
Napięcie bramka-źródło ±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia 7Ω
Montaż SMD
Ładunek bramki 10nC
Rodzaj opakowania rolka, taśma
Rodzaj kanału wzbogacany
Więcej informacji o tym produkcie znajdziesz na jego stronie internetowej.