Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
Typ tranzystora N-MOSFET
Technologia HEXFET®
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 60V
Prąd drenu 81A
Moc rozpraszana 170W
Obudowa TO220AB
Napięcie bramka-źródło ±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia 12mΩ
Montaż THT
Ładunek bramki 86,6nC
Rodzaj opakowania tuba
Rodzaj kanału wzbogacany