Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
Tranzystor: unipolarny, N-MOSFET; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Typ tranzystora N-MOSFET
Technologia HEXFET®
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 40V
Prąd drenu 162A
Moc rozpraszana 200W
Obudowa TO220AB
Napięcie bramka-źródło ±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia 4mΩ
Montaż THT
Ładunek bramki 160nC
Więcej informacji o tym produkcie znajdziesz na jego stronie internetowej.