Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
IRF5210 TRANZYSTOR P-KANAL MOSFET, 100V 40A 200W, TO-220
Typ tranzystora P-MOSFET
Technologia HEXFET®
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło -100V
Prąd drenu -40A
Moc rozpraszana 200W
Obudowa TO220AB
Napięcie bramka-źródło ±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia 60mΩ
Montaż THT
Ładunek bramki 120nC
Rodzaj kanału wzbogacany