Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
Typ tranzystora N-MOSFET
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 400V
Prąd drenu 6,3A
Moc rozpraszana 125W
Obudowa TO220AB
Napięcie bramka-źródło ±30V
Rezystancja w stanie przewodzenia 550mΩ
Montaż THT
Ładunek bramki 36nC
Rodzaj opakowania tuba
Rodzaj kanału wzbogacany