Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
Typ tranzystora N-MOSFET
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 500V
Prąd drenu 5,1A
Prąd drenu w impulsie 32A
Moc rozpraszana 125W
Obudowa TO220AB
Napięcie bramka-źródło ±30V
Rezystancja w stanie przewodzenia 850mΩ
Montaż THT
Ładunek bramki 38nC
Rodzaj kanału wzbogacany