Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
Producent INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzystora N-MOSFET
Technologia HEXFET®
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 25V
Prąd drenu 5,8A
Moc rozpraszana 1,25W
Obudowa SOT23
Napięcie bramka-źródło ±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia 24mΩ
Montaż SMD
Ładunek bramki 5,4nC
Rodzaj kanału wzbogacany
Więcej informacji o tym produkcie znajdziesz na jego stronie internetowej.