Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
Typ tranzystora N-MOSFET
Technologia HEXFET®
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 40V
Prąd drenu 343A
Moc rozpraszana 375W
Obudowa TO220AB
Napięcie bramka-źródło ±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia 1,7mΩ
Montaż B THT
Ładunek bramki 108nC
Rodzaj opakowania tuba
Rodzaj kanału wzbogacany
Właściwości elementów półprzewodnikowyc logic level