Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
Producent INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzystora N-MOSFET
Technologia HEXFET®
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 30V
Prąd drenu 2,7A
Moc rozpraszana 1,3W
Obudowa SOT23
Montaż SMD
Rodzaj kanału wzbogacany
Właściwości elementów półprzewodnikowych logic level