Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
Producent INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzystora N-MOSFET
Technologia HEXFET®
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 55V
Prąd drenu 30A
Prąd drenu w impulsie 160A
Moc rozpraszana 110W
Obudowa DPAK
Napięcie bramka-źródło ±16V
Rezystancja w stanie przewodzenia 27mΩ
Montaż SMD
Ładunek bramki 48nC
Rodzaj kanału wzbogacany
Właściwości elementów półprzewodnikowych logic level