Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
Typ tranzystora N-MOSFET
Technologia HEXFET®
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 55V
Prąd drenu 43A
Prąd drenu w impulsie 240A
Moc rozpraszana 110W
Obudowa DPAK
Napięcie bramka-źródło ±16V
Rezystancja w stanie przewodzenia 13,5mΩ
Montaż SMD
Ładunek bramki 35nC
Rodzaj kanału wzbogacany
Właściwości elementów półprzewodnikowych logic level
Rodzaj kanałuwzbogacany
Więcej informacji o tym produkcie znajdziesz na jego stronie internetowej.