Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
SPECYFIKACJA
Producent INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzystora N-MOSFET
Technologia HEXFET®
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 30V
Prąd drenu 61A
Prąd drenu w impulsie 340A
Moc rozpraszana 75W
Obudowa DPAK
Napięcie bramka-źródło ±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia 5,8mΩ
Montaż SMD
Rodzaj kanału wzbogacany