Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
SPECYFIKACJA
Producent NEXPERIA
Typ tranzystora N-MOSFET
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 80V
Prąd drenu 82A
Prąd drenu w impulsie 326A
Moc rozpraszana 130W
Obudowa LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Napięcie bramka-źródło ±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia 5,8mΩ
Montaż SMD
Ładunek bramki 55nC
Rodzaj kanału wzbogacany