Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
SPECYFIKACJA
Producent INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzystora N-MOSFET
Technologia CoolMOS™
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 600V
Prąd drenu 20,7A
Moc rozpraszana 208W
Obudowa PG-TO220-3
Napięcie bramka-źródło ±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia 0,19Ω
Montaż THT
Rodzaj kanału wzbogacany