Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
Specyfikacja
Producent STMicroelectronics
Typ tranzystora N-MOSFET
Technologia MDmesh™ M5
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 650V
Prąd drenu 5,6A
Prąd drenu w impulsie 36A
Moc rozpraszana 85W
Obudowa D2PAK
Napięcie bramka-źródło ±25V
Rezystancja w stanie przewodzenia 0,48Ω
Montaż SMD
Ładunek bramki 17nC
Rodzaj kanału wzbogacany