Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
SPECYFIKACJA
Producent STMicroelectronics
Typ tranzystora IGBT
Napięcie kolektor-emiter 1,2kV
Prąd kolektora 15A
Moc rozpraszana 259W
Obudowa TO247-3
Napięcie bramka - emiter ±20V
Prąd kolektora w impulsie 60A
Montaż THT
Ładunek bramki 67nC
Właściwości elementów półprzewodnikowych integrated anti-parallel diode