Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
Typ tranzystora N-MOSFET
Technologia SuperMesh™
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 600V
Prąd drenu 5,7A
Moc rozpraszana 35W
Obudowa TO220FP
Napięcie bramka-źródło ±30V
Rezystancja w stanie przewodzenia 750mΩ
Montaż THT
Rodzaj kanału wzbogacany
Właściwości elementów
półprzewodnikowych ESD protected gate