Ta strona używa cookies. Dowiedz się więcej o celu ich używania.
Producent STMicroelectronics
Typ tranzystora N-MOSFET
Technologia FDmesh™
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 600V
Prąd drenu 7A
Moc rozpraszana 160W
Obudowa TO220-3
Napięcie bramka-źródło ±30V
Rezystancja w stanie przewodzenia 450mΩ
Montaż THT
Rodzaj opakowania tuba
Rodzaj kanału wzbogacany
Właściwości elementów półprzewodnikowych ESD protected gate